特許

J-GLOBAL ID：200903042368824968

半導体レーザの製造方法

発明者： 堀川 英明 ,  松井 康浩 ,  上條 健
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275797
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 InP基板31を用いた埋め込み型半導体レーザを製造する際、活性層の幅の制御性を良好にかつ電流ブロック層の形成を良好に行なえる方法。【構成】 n-InP基板31上にグレーテイング33を形成し、その上にn-GaInAsP層35、GaInAsP層37、p-InP層39を形成する。p-InP層39上にストライプ方向が<011>方向で幅Wが約2μmのSiO<SB>2 </SB>マスク41を形成する。p-InP層39を塩酸系エッチャントで選択的にエッチングして第1上側クラッド層39aを形成しかつマスク41にひさし部41aを形成する。半導体層37、35をアルゴンと塩素の混合ガスによるRIEによりエッチングし活性層37a、光ガイド層35aを得る。これら層35a,37aを硫酸系エッチャントでエッチングする。ストライプ状のメサ部43両側にMOVPE法により電流ブロック層を形成する。

請求項（抜粋）：

InP基板を用いた埋め込み型の半導体レーザを製造するに当たり、InP基板上に少なくとも活性層形成用半導体層及び第1上側クラッド層形成用半導体層、必要に応じ光ガイド層形成用半導体層を形成する工程と、前記第1上側クラッド層形成用半導体層上に、ストライプ状のエッチングマスクであって、ストライプ方向が<011>方向でストライプの幅が当該半導体レーザを単一横モード発振させ得る活性層幅と実質的に同じ、エッチングマスクを形成する工程と、前記第1上側クラッド層形成用半導体層を選択的にエッチングして当該第1上側クラッド層を形成しかつ前記エッチングマスクにひさし部を形成する工程と、前記活性層形成用半導体層を、また光ガイド層形成用半導体層を形成した場合は前記活性層形成用半導体層及び光ガイド層形成用半導体層各々を、反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程と、前記反応性イオンエッチングで得られた活性層を、また光ガイド層形成用半導体層を形成した場合は前記反応性イオンエッチングで得られた活性層及び光ガイド層を、当該層はエッチングしかつ前記エッチングマスク、第1上側クラッド層及びInP基板はエッチングしないエッチャントにより所定量エッチングする工程と、該エッチャントによるエッチング済みの試料のストライプ状のメサ部の両側に、有機金属気相成長法により電流ブロック層を形成する工程と、該電流ブロック層形成済みの試料から前記エッチングマスクを除去する工程と、該エッチングマスク除去済みの試料に第2上側クラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。