特許

J-GLOBAL ID：200903042372030909

強誘電体膜の堆積方法および強誘電体キャパシタ素子

発明者： セシュ デス ,  ディリップ ビジェイ
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350891
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017126
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 高品質なエピタキシャル成長または配向成長された層状構造酸化物強誘電体薄膜を高い信頼性で堆積する方法を提供する。【解決手段】 基板上にメタライゼーション層を堆積する工程と、該メタライゼーション層上に層状構造酸化物を堆積する工程とを含んでおり、格子不整合が限定される結果になるように、該メタライゼーション層および該基板が、それぞれ所定範囲内の格子パラメータを有しており、また、格子不整合が限定される結果になるように、該層状構造酸化物が、該メタライゼーション層の該所定範囲内の格子パラメータを有していることにより、該層状構造酸化物が所望の成長方位に堆積される強誘電体膜を堆積する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基板上にメタライゼーション層を堆積する工程と、該メタライゼーション層上に層状構造酸化物を堆積する工程と、を含む、強誘電体膜の堆積方法であって、格子不整合が限定される結果になるように、該メタライゼーション層および該基板が、それぞれ所定範囲内の格子パラメータを有しており、格子不整合が限定される結果になるように、該層状構造酸化物が、該メタライゼーション層の該所定範囲内の格子パラメータを有していることにより、該層状構造酸化物が、所望の成長方位に堆積される、強誘電体膜の堆積方法。

IPC (13件)：

H01L 27/10 451 ,  G02F 1/05 501 ,  H01J 9/20 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/24

FI (9件)：

H01L 27/10 451 ,  G02F 1/05 501 ,  H01J 9/20 A ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 A