特許

J-GLOBAL ID：200903042382450868

重水素原子を有する半導体デバイス

発明者： リセンカー,ボリス,エス ,  ジャンケレヴィッチ,アルフレッド
出願人/特許権者： ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-519103
公開番号（公開出願番号）：特表平8-507175
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】シリコンウェハーが重水素含有材料と接触してシリコン表面上に二酸化珪素層とのインターフェイスにおいてSi-D及びSi-OD結合を形成する方法が提供される。MOSデバイスが製作プロセデュアーの種々のステップにおいて重水素含有化合物を使用することにより形成される。MOSゲート酸化物が形成された後、ウェハーは重水素含有雰囲気中でアニーリングされ、ポリシリコン層が重水素含有化合物を使用する化学的蒸気蒸着により形成される。デバイスは次でD2O、D2SO4及びDClの如き重水素含有化合物で洗滌される。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの二酸化珪素層及び二酸化珪素層とシリコン表面との間のインターフェイスを含み、二酸化珪素層及びインターフェイスはSi-OD及びSi-D結合を有し;Si-ODプラスSi-D結合のSi-OHプラスSi-H結合に対する比が天然に発生する重水素の水素に対する比より実質的に大きい半導体デバイス。