特許

J-GLOBAL ID：200903042387430130

不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法

発明者： 内田 英次
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198624
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058225
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 消去時にトンネル酸化膜の劣化を抑制できる優れたEEPROMの装置及びその形成方法を提供する。【構成】 この発明のEEPROMの構成によれば、電荷蓄積層17を導体層16と絶縁膜14とで構成してある。また、このとき絶縁膜14を導体層16とトンネル酸化膜12との間に設けてある。また、他の実施例では、絶縁膜14を導体層16と層間絶縁膜18との間に設けてある。また、このEEPROMの形成方法によれば、トンネル酸化膜12を形成後、このトンネル酸化膜上に絶縁膜用予備層を形成する。その後、真空または不活性ガスをもちいた加熱処理によって絶縁膜用予備層を酸化させて絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

下地上に、トンネル酸化膜と電荷蓄積層と層間絶縁膜と制御ゲート電極とを具える不揮発性半導体記憶装置において、前記電荷蓄積層を導体層と絶縁膜とで構成したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 E