特許

J-GLOBAL ID：200903042388107308

M-SiONゲート誘電体のCVDデポジション

発明者： ルイジ コロンボ ,  マーク アール、ヴィソケイ ,  マルコム ジェイ、ビヴァン ,  アントニオ エル、ピー、ロタンダロ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361573
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218108
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 界面酸化物を有さない高誘電率ゲート誘電体の形成。【解決手段】 HfSiO2などのM-SiN又はM-SiONのCVDによって高誘電率ゲート誘電体膜(106)を形成する方法が開示される。窒素濃度を調節するため、ポスト・デポジション・アニールが用いられる。

請求項（抜粋）：

集積回路を製造する方法であって、部分的に製造された半導体基体を提供し、半導体基体の表面上に、化学蒸着デポジションによって金属、シリコン、及び窒素を含む高誘電率膜をデポジットすることによってゲート誘電体を形成する工程を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (16件)：

5F058BA20 ,  5F058BC09 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17