特許
J-GLOBAL ID：200903042388914718
化合物半導体基板の前処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024540
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244409
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体基板上で良好な特性を示すMIS型デバイスを構成する。【構成】 n型GaAs層2とn+ 型GaAs層3の積層系にゲート・リセス4を形成したウェハに対し、窒素系化合物を含むガスを用いたプラズマ処理を行い、ウェハ表面に蒸気圧の低いGaNを生成させることによりパッシベーション層5を形成する。このパッシベーション層5によりウェハの表面酸化が防止されるため、後工程で積層されるSiN絶縁膜6との間の界面準位密度が低減され、良好なデバイス特性を得ることができる。上記ガスとしては、NF3 /N2 混合ガスやCl2 /N2 混合ガスを用いる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板の表面を、該化合物半導体基板の所定の構成原子と窒素原子との結合により形成される窒化物膜で被覆することを特徴とする化合物半導体基板の前処理方法。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, C23C 8/36
, H01L 21/31
, H01L 21/318
