特許
J-GLOBAL ID：200903042397118401
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000818
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182980
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】エピタキシャル成長によるベース層を持つ、微細化,高速化が可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することを目的とする。【構成】p型Si基板101にn+ 型Siサブコレクタ層102,n型Siコレクタ層103がエピタキシャル成長され、さらにこの上にp+ 型SiGeベース層120と、熱平衡状態で完全空乏化するp- 型Si層121が連続的にエピタキシャル成長され、p- 型Si層121上に選択的に多結晶シリコン・エミッタ128が形成される。
請求項（抜粋）：
第1導電型のコレクタ層と、このコレクタ層上にエピタキシャル成長された,第2導電型で高濃度のベース層と、このベース層上に連続的にエピタキシャル成長された,ベース層よりバンドギャップが大きくかつ熱平衡状態で完全空乏化する低濃度層と、この低濃度層上に形成された第1導電型のエミッタ層と、を有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
