特許

J-GLOBAL ID：200903042398823567

プラズマ処理方法および装置

発明者： 板 浩嗣
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 山田 文雄 ,  山田 洋資
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175955
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022822
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】被処理物に高周波電圧を印加しながらプラズマ処理する場合に、被処理物の特に周縁付近におけるプラズマ処理の均一性を向上させ、被処理物の利用率を上げ、製品の歩留まりを向上させる。【解決手段】チャンバ(10)内に配設された電極台(26)に被処理物(28)を保持し、電極台(26)にバイアス用高周波電圧(38,38A)を印加しながらこの被処理物(28)に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、電極台(26)に被処理物(28)の周囲を囲む絶縁性のマスクリング(30)を保持し、被処理物(28)とマスクリング(30)とに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物(28)に導かれるプラズマを均一化する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

チャンバ内に配設された電極台に被処理物を保持し、前記電極台にバイアス用高周波電圧を印加しながらこの被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、 前記電極台に前記被処理物の周囲を囲む絶縁性のマスクリングを保持し、前記被処理物と前記マスクリングとに異なる高周波電圧を印加することによって被処理物に導かれるプラズマを均一化することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101B ,  H05H1/46 R

Fターム (10件)：

5F004AA01 ,  5F004BA05 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23