半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-274399
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125923
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】結晶の粒径及び結晶方位の制御が可能となるとともに、特性と均一性に優れ、しかも均一性が良化するため歩留まりも向上し、結果的にコストの低い半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性基板1に所定の溝を形成した後、溝内に非単結晶半導体層3を形成する。そして、非単結晶半導体層3にエネルギービームを照射して結晶化させ、さらに結晶化された半導体層上に絶縁層4を形成する。その後、絶縁層4上にゲート電極5を形成するとともに、半導体層に不純物を導入してソース・ドレイン領域3s及び3dを形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極間に形成された絶縁層と、前記半導体層に電気的に接触するソース・ドレイン電極とを絶縁性基板上に形成した半導体素子であって、前記絶縁性基板に所定の形状に形成された溝内に前記半導体層が形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/268 F , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 619 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-151042
特開昭59-124123
特開平2-224255

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