特許

J-GLOBAL ID：200903042409453163

研磨材組成物

発明者： 鶴ケ谷 宗昭 ,  高橋 秀明
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-079045
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282496
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる研磨材組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ヘテロポリ酸および/またはその塩と、非イオン性界面活性剤と、有機高分子微粒子と、水とを含んでなることを特徴とする研磨材組成物およびそれを用いて成る半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

ヘテロポリ酸および/またはその塩と、非イオン性界面活性剤と、有機高分子微粒子と、水とを含んでなることを特徴とする研磨材組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (7件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17