透明導電膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：祢▲ぎ▼元邦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-127721
公開番号（公開出願番号）：特開2004-332030
出願日： 2003年05月06日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】装置の大幅な改造を必要とせずに、基板や膜に入射する高エネルギー粒子を効果的に低減して、低抵抗な透明導電膜を得る。【解決手段】透明基板2上にスパッタリング法により透明導電膜を製膜する透明導電膜の製造方法において、製膜室1内に、ターゲット4を装着したカソード電極5上のプラズマ領域を閉じ込める箱型シールド壁7と、このシールド壁7の透明基板2側の開口部8に位置するメッシュ状中間アノード電極6を配設し、上記カソード電極5とメッシュ状中間アノード電極6および箱型シールド壁7間で放電させて、ターゲット4をスパッタリングすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明基板上にスパッタリング法により透明導電膜を製膜する透明導電膜の製造方法において、製膜室内に、ターゲットを装着したカソード電極上のプラズマ領域を閉じ込める箱型シールド壁と、このシールド壁の透明基板側の開口部に位置するメッシュ状中間アノード電極を配設し、上記カソード電極とメッシュ状中間アノード電極および箱型シールド壁間で放電させて、ターゲットをスパッタリングすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C14/34 , H01B13/00

FI (2件)：

C23C14/34 T , H01B13/00 503B

Fターム (12件)：

4K029BA45 , 4K029BA47 , 4K029BA49 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DC26 , 4K029DC28 , 4K029EA08 , 5G323BA02 , 5G323BB05 , 5G323BC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-121653
特開昭63-176469
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-240909 出願人：セイコーエプソン株式会社

全件表示

前のページに戻る