特許

J-GLOBAL ID：200903042427196585

半導体素子及びその製造方法

発明者： 鈴木 真理子 ,  小野村 正明 ,  布上 真也 ,  斎藤 真司 ,  本郷 禎人 ,  飯田 晋 ,  酒井 忠司 ,  小野 富男 ,  佐久間 尚志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-285674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101149
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。【解決手段】 サファイア基板100上に、GaNバッファ層101,ボンド極性反転層102,AlxGa1-xN層103,n-GaNコンタクト層104からなる構造を基礎としている。ボンド極性反転層102は、その下からの転位D1,D2,・・・・・,D8の伝播を阻止するための層で、固溶度と同程度若しくは固溶度以上の高濃度にマグネシウム(Mg)をドープしたGaN層102である。ボンド極性反転層102は、結晶格子を構成しているボンドの周期的な配列が、一部で反転している層である。また、AlxGa1-xN層103は、ボンド極性反転層102の表面に生じる凹凸を平坦化させるための層である。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上部のバッファ層と、該バッファ層の上部に配置され、格子間ボンドの極性が、完全結晶に比して反転した極性の格子面の領域を少なくとも一部に含むボンド極性反転層と、該ボンド極性反転層の上方に位置し、前記基板とは材料若しくは格子定数の異なる半導体領域と、該半導体領域に電流を供給する電極とを具備することを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/22

FI (4件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/22

Fターム (30件)：

5F045AA04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB22 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F073AA04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-063248   出願人：松下電工株式会社