ダイヤモンド薄膜およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337866
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085892
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】【目的】粒径が小さく、透過率が高く、内部応力が低い引っ張り応力である膜質の良好なダイヤモンド薄膜とその製造方法を提供する。【構成】成膜前に基板をあらかじめ粒径が0.1μm以下のダイヤモンド粉末で研磨し、その基板上に熱フィラメントCVD法によりダイヤモンド膜を合成する際に、反応圧力を50〜500Torrとし、フィラメント-基板間に電流密度が8mA/cm2以上となるように直流バイアス電圧を印加する。この方法で、ラマン分光分析によるダイヤモンド(D)と1500cm-1付近における非ダイヤモンド成分(G)のピーク強度比(G/D)がG/D≦1.0のダイヤモンド薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド薄膜の純度の指標としてのラマン分光分析によるダイヤモンド(D)と1500cm-1付近における非ダイヤモンド成分(G)のピーク強度比(G/D)が、G/D≦1.0なる関係を満たすことを特徴とするダイヤモンド薄膜。

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