半導体装置およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332895
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219453
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。【解決手段】樹脂材料でなる層間絶縁膜117を形成した後、開孔119を形成する。ここで、酸素プラズマによって層間絶縁膜117を後退させる。すると、テーパー形状を有した開孔部を得ることができる。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。

請求項（抜粋）：

多層に構成された絶縁膜を有した半導体装置であって、前記多層膜の最上層は樹脂材料でなり、前記多層膜にはコンタクトホールが形成されており、前記コンタクトホールの前記樹脂材料部分はオーバーエッチングされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/302 M , H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-155834
特開平2-025024
特開平4-116954

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