特許

J-GLOBAL ID：200903042437612072

セラミック多層回路基板およびその製造方法並びに電子デバイス実装体

発明者： 岡本 正英 ,  石原 昌作 ,  庄子 房次 ,  木下 円
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150269
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】微細配線幅、微細ピッチ、高アスペクト比の導体回路パターンを有し、かつ線幅、膜厚の値がばらつきが小さく、しかも電気抵抗を小さくして電気抵抗値や特性インピーダンスの値のばらつきを小さくして安定な配線密度が高いセラミック多層回路基板およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】積層・接着および焼成してなるセラミックスからなる絶縁体内に導体配線パターンを有するセラミック多層回路基板において、前記セラミックスをガラスセラミックスで形成し、前記導体配線パターンを、銅、金、銀のいずれかを主成分とする低抵抗材で形成し、且つ配線幅を20〜50μm、配線ピッチを150〜250μmであり、前記導体配線パターンの電気抵抗を10Ω以下とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

積層・接着および焼成してなるセラミックスからなる絶縁体内に導体配線パターンを有するセラミック多層回路基板において、前記導体配線パターンの断面積が、最大幅と最大膜厚との積の80%以上であることを特徴とするセラミック多層回路基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/60 311

FI (5件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 C ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 Z ,  H01L 21/60 311 Q