半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003324
公開番号（公開出願番号）：特開平5-189995
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【構成】各ブロックの冗長デコーダ21〜24が全てのブロックのメモリセル群51〜54に含まれるアドレスを任意に登録できるようにし、メモリセル群選択デコーダ41〜44が同じブロックの冗長デコーダ21〜24からのHレベルのENB信号を受けた場合にはメモリセル群51〜54を強制選択し、異なるブロックの冗長デコーダ21〜24からの場合には強制的に非選択とする。【効果】メモリセルの欠陥により一部のブロックでメモリセル群51〜54の冗長セルが不足した場合にも、他のブロックのメモリセル群51〜54における未使用の冗長セルを有効に活用することができるので、半導体記憶装置の製造上の歩留り向上に貢献することができる。

請求項（抜粋）：

複数のブロックのそれぞれに冗長デコーダ、メモリセル群選択デコーダ及びメモリセル群が設けられた半導体記憶装置であって、各冗長デコーダが選択されたことを示す信号が、全てのブロックのメモリセル群選択デコーダにそれぞれ送られ、各ブロックのメモリセル群選択デコーダが、同じブロックの冗長デコーダから該信号が送られて来たときに当該ブロックのメモリセル群を強制的に選択する強制選択手段と、異なるブロックの冗長デコーダから該信号が送られて来たときに当該ブロックのメモリセル群を強制的に非選択とする強制非選択手段とを備えている、半導体記憶装置。

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