特許
J-GLOBAL ID：200903042441364334
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026305
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053501
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】MOSトランジスタを含み,かつ素子分離領域に少なくとも溝型素子分離領域を有する半導体装置において、口径が小さく,かつ拡散層と金属配線とのコンタクト抵抗の増加を抑制した半導体装置のコンタクト孔を提供し、微細化に適し,かつ動作速度の高速化に適した半導体装置を提供する。【構成】N型の第1の拡散層206と金属配線214とを接続するためのコンタクト孔210aは、拡散層206と溝型素子分離領域203との境界線をまたぐ位置に設けられ、さらにコンタクト孔210aの底面の一部において溝型素子分離領域203に埋め込まれた絶縁膜が露出し、コンタクト孔210aの側面において拡散層206を含むP型シリコン基板201が露出している。コンタクト孔210aに露出したシリコン基板201の表面には、N型の第2の拡散層211aが設けられ、拡散層211aは拡散層206と接続する。
請求項（抜粋）：
一導電型のシリコン基板の表面に絶縁膜が埋め込まれて形成された溝型素子分離領域,前記溝型素子分離領域に囲まれてシリコン基板の表面に形成された逆導電型の第1の拡散層,およびシリコン基板上に形成された層間絶縁膜を有し、その側面において少なくとも前記第1の拡散層の露出した表面を有して導電体膜が埋め込まれた第1の拡散層と金属配線とを接続する溝型のコンタクト孔を有し、前記溝型のコンタクト孔により露出された前記第1の拡散層を含む前記シリコン基板の表面に逆導電型の第2の拡散層を有する半導体装置において、前記溝型コンタクト孔の底面の一部において前記溝型素子分離領域に埋め込まれた前記絶縁膜が露出していることと、前記第2の拡散層の底面から前記第1の拡散層の上面までの高さが、前記溝型素子分離領域の底面から前記第1の拡散層の上面までの高さより低くなっていこととを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, H01L 21/90
, H01L 29/44
, H01L 29/46
