特許

J-GLOBAL ID：200903042445225126

最適化されたゲルマニウムプロファイルを有するシリコンゲルマニウムバイポーラトランジスタ

発明者： クライン,ヴォルフガング ,  ラッハナー,ルドルフ ,  モルツァー,ヴォルフガング
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-553560
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520443
出願日： 2001年01月08日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：

【要約】本発明は、シリコンゲルマニウムバイポーラトランジスタに関するものである。このトランジスタにおいて、シリコン基板(7)には、第1のn型にドープされたエミッタ(1)が形成され、これに隣接して第2のp型にドープされたベース領域が形成され、これに隣接して第3のn型にドープされたコレクタ領域(3)が形成されている。第1空間電荷ゾーン(4)は、エミッタ領域(1)とベース領域(2)との間に形成され、第2空間電荷ゾーン(5)は、ベース領域(2)とコレクタ領域(3)との間に形成されている。ベース領域(2)と、隣接するエミッタ領域(1)の境界ゾーンとは、ゲルマニウムによって合金化されている。そして、エミッタ領域(1)では、ゲルマニウム濃度(6)がベース領域(2)に向かって上昇する。第1空間電荷ゾーン(4)の位置する接合領域では、ゲルマニウム濃度は、エミッタ領域(1)においてよりも緩やかに上昇するか、低下する。ベース領域(2)では、ゲルマニウム濃度は、接合領域においてよりもまず急激に上昇する。

請求項（抜粋）：

シリコンゲルマニウムバイポーラトランジスタにおいて、 シリコン基盤(7)には、第1のn型にドープされたエミッタ領域(1)が形成され、該エミッタ領域(1)に隣接して、第2のp型にドープされたベース領域(2)が形成され、該ベース領域(2)に隣接して、第3のn型にドープされたコレクタ領域(3)が形成されており、 第1空間電荷ゾーン(4)が上記エミッタ領域(1)と上記ベース領域(2)との間に形成され、第2空間電荷ゾーン(5)が上記ベース領域(2)と上記コレクタ領域(3)との間に形成されており、 ここで、上記ベース領域(2)と、隣接する上記エミッタ領域(1)の上記境界ゾーンとがゲルマニウムによって合金化されており、 上記エミッタ領域(1)では、上記ゲルマニウム濃度(6)が、ベース領域(2)に向かって上昇し、上記第1空間電荷ゾーン(4)の位置する接合領域では、上記ゲルマニウム濃度が、上記エミッタ領域(1)における上昇よりも緩やかに上昇し、または低下し、 かつ、上記ベース領域(2)では、上記ゲルマニウム濃度(6)は、上記接合領域においてよりも急激に上昇するシリコンゲルマニウムバイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737

Fターム (4件)：

5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF05 ,  5F003BM01