単結晶性薄膜の形成方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111488
公開番号（公開出願番号）：特開平6-092787
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】【目的】基材の材質および結晶性に依存することなく、基材上に結晶性の優れた単結晶薄膜を形成する。【構成】気相3中の化学種が基材に付着することを防止できるマスク2を基材1上に設ける。基材1を連続的に矢印Aの方向に移動させていることにより、マスク2に覆われる部分を結晶成長のための気相3に送り出していく。このようにして、基材1上においてマスク2の下から送り出された部分に順次、薄膜を気相3から堆積させていく。

請求項（抜粋）：

基材上の連続する領域に特定の方位を有する結晶から主として構成される薄膜を気相より形成するための方法であって、前記気相中の化学種が前記基材に付着することを防止できるマスクを設け、前記基材を前記マスクに対して相対的に移動させていくことにより、結晶成長させるべき前記基材の連続する領域で前記マスクに覆われる部分が、結晶成長のための環境に連続的に送り出されていくことを特徴とする、単結晶性薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C30B 23/08 , C01G 1/00 , C30B 23/04 , C30B 29/22 501 , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA , H01B 12/06 ZAA

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-196098
特開平4-175206
特開平2-307808

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審査官引用 (4件)

特開平4-175206
特開平2-196098
特開平2-307808

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