特許
J-GLOBAL ID：200903042458818010
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134598
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335247
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 反応ガスの噴出量がガス導入管(5)の噴出孔(4)毎に変化し、半導体ウェーハ(15)の表面に形成される生成膜の厚みが一様にならなくなることを防止すること。【構成】 ガス導入管(5)内に、その外周壁面を当該ガス導入管(5)の内周壁面に摺設させ、かつ、ガス導入管(5)の円周方向に沿って回動可能に支持させた縦溝(18)付きの筒体もしくは遮蔽板(17)を嵌挿配置して、反応ガスの噴出量調整手段を構成する。
請求項（抜粋）：
負圧吸引装置と、反応ガスの給気管と、排気管を接続してなる密封構造の外管内に、複数枚の半導体ウェーハを積載したボートと、このボートを囲繞する円筒状の内管と、上記ボートと内管の間に反応ガスのインジェクタとして立設された複数個の反応ガス噴出孔を有するガス導入管とによって構成された縦型減圧CVD装置において、上記ガス導入管内に、その外周壁面を当該ガス導入管の内周壁面に摺接させ、かつ、上記ガス導入管の円周方向に沿って回動可能に支持された縦溝付きの筒体もしくは遮蔽板を嵌挿配置し、上記反応ガスの噴出量調整手段を構成したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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