特許
J-GLOBAL ID：200903042458828113
標本化回路を形成する薄膜回路素子を有する電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112844
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338615
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 標本化回路を形成する薄膜回路素子の特性を改善する。【構成】 LCD又は他の電子装置において、基盤(100)上にサンプルホールド回路又は他の標本化回路(10)を形成する薄膜回路素子である。回路(10)は標本化トランジスタとしたTFT(Ts)及び、好適には標本化TFTの絶縁ゲート(121)の充電及び放電における変移電流を補償する他のTFT(T2)を具える。本発明によりTsをオフに切り換えたときに観測される出力電圧(Vo)中のゆっくりとしたドリフトは、薄膜供給ライン(129)を経て順方向バイアスされ、逆の導電型をドープした領域(119)又はショットキー接点領域(119)からTs(及びT2)のチャネル領域中への少数キャリアの注入によって除去又は意味があるほど減少される。この少数キャリアは、TFT中の捕獲位置から熱によってゆっくりと開放される多数キャリアを中和する。
請求項（抜粋）：
標本化回路を構成するように基板上に形成された薄膜回路素子のパターンを具え、この標本化回路が入力ノードと出力ノードとの間に標本化トランジスタを具え、この標本化トランジスタを半導体薄膜に隣接した絶縁ゲートを有する薄膜電界効果トランジスタとし、この絶縁ゲートの制御のもとで前記トランジスタのチャネル領域を生成するように構成し、前記入力ノードからの信号を標本化してその標本化信号を前記出力ノードに通すように前記トランジスタをオンとオフとに切り換えるように前記ゲートを薄膜制御ラインに接続し、前記トランジスタを経て伝送される信号を、前記チャネル領域の多数電荷キャリアである第1導電型の電荷キャリアの流れを以て構成した電子装置において、前記標本化トランジスタが前記チャネル領域の近くに少数キャリア注入領域を具え、この注入領域を前記チャネル領域に関して順方向バイアスし、前記トランジスタがオフに切り換わっている間に少数キャリアを前記チャネル領域中に注入するために前記第1導電型と反対の第2導電型の電荷キャリアを供給するように注入領域を薄膜電源ラインに接続したことを特徴とする電子装置。
引用特許：
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