半導体装置用リードフレームおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315129
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169890
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】耐湿性等のために設けるV溝と銀めっき境界部とが一致しても、ヒゲバリが生じないような構造とする。【構成】ストライプめっき条1は、銅または銅合金からなる異形断面条2の全面にニッケルめっき3が施され、さらにダイパッド面およびワイヤボンディングパッド面に相当する機能領域Aに銀ストライプめっき4が施されている。銀めっき境界部aに一体に形成した傾斜めっき5は、境界部aのめっき厚さの途中から非銀めっき部側に向ってめっき厚が漸次薄く形成されており、その密着性が強固になっている。このようにするには、めっきの下地処理においてテープ境界へのアタックを多くさせてマスキングテープを浮き上がらせ、その隙間にストライクめっき液が侵入するようにする。

請求項（抜粋）：

部分めっきの施された半導体装置用リードフレームにおいて、上記部分めっきの境界部に、境界部のめっき厚さの途中から非部分めっき部側に向って薄くなるめっき膜を形成したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

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