特許

J-GLOBAL ID：200903042465797118

半導体装置用リードフレームの製造方法

発明者： 樋口 正幸
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテツク
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190818
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013633
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置用リードフレームの製造方法おいて、その製造工程に熱処理工程等の工程を加えて、残留応力を除去すると共に、めっきの密着性を向上させ、さらに完成品の歩留りを向上させる等のリードフレームの長期的信頼性を維持した高品質な半導体装置を得る。【構成】 リードフレームの所要の形状を備えた金属部材に際して滞有した内部応力を除去する熱処理を行った後に、多層めっき処理を行い、次に該多層めっき処理において吸蔵された水素及び滞有した残留応力を除去する熱処理を行い、さらにインナーリード17の所要領域に該インナーリード17間の相互位置を維持する様に樹脂テープ20を粘着すると共に該インナーリード17先端を連結した連結片16を除去するプレス加工を行い、所要のリードフレームの形状を形成する。

請求項（抜粋）：

リードフレーム用の金属素材から、素子搭載部、先端部を連結する連結片を備えたインナーリード及びアウターリードを含むリードフレームの所要の形状を備えた金属部材を形成する加工を行い、前記金属部材の表面の所要部分に多層の金属被膜層を形成した後、前記連結片を除去すると共にインナーリードの先端を分離形成する半導体装置用リードフレームの製造方法であって、予め、前記金属部材の形成に際して滞有した内部残留応力を除去する熱処理を施したリードフレームの金属部材を使用し、前記リードフレームの金属部材の表面に異種金属を多層被覆した後、該金属部材中に吸蔵された水素及び滞有した残留応力を除去する熱処理を行い、次に、前記インナーリードの所要領域に該インナーリード間の相互位置を維持する樹脂テープを粘着すると共に該インナーリード先端を連結した連結片を除去するプレス加工を行って、所要のリードフレームの形状を形成することを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。