特許

J-GLOBAL ID：200903042466664685

高密着性フレキシブル回路基板

発明者： 岩森 暁 ,  宮下 武博 ,  後藤 優実 ,  福田 伸 ,  福田 信弘
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137714
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330695
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【構成】 銅または銅合金層、金属中間層、ポリイミドフィルムの順に構成された銅ポリイミドフィルムにおいて、150°Cで24時間加熱しても金属層とポリイミド層間での接着強度の低下が、5%以内に抑えられる程度の厚みに、該金属中間層としてモリブデン層をスパッタリング法により形成することを特徴とする高密着性フレキシブル回路基板。【効果】 本発明の高密着性フレキシブル回路基板は、150°C、24時間加熱しても金属層とポリイミド層間での接着強度の低下が低い、高温耐久性に優れるばかりではなく、二次加工時の性能劣化が大幅に緩和されたものである。

請求項（抜粋）：

銅または銅合金層、金属中間層、ポリイミドフィルムの順に構成された銅ポリイミドフィルムにおいて、150°Cで24時間加熱しても金属層とポリイミド層間での接着強度の低下が、5%以内に抑えられる程度の厚みに、該金属中間層としてモリブデン層をスパッタリング法により形成することを特徴とする高密着性フレキシブル回路基板。

IPC (4件)：

H05K 1/09 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/20 ,  H05K 3/38

FI (5件)：

H05K 1/09 C ,  H05K 1/09 B ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/20 A ,  H05K 3/38 C