特許
J-GLOBAL ID:200903042473801132
多層配線基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-253229
公開番号(公開出願番号):特開平6-104578
出願日: 1992年09月22日
公開日(公表日): 1994年04月15日
要約:
【要約】【目的】 簡単な製造工程によって、大容量のキャパシターを内蔵し、かつ高密度配線が可能である多層配線基板及びその製造方法を提供すること。【構成】 多層配線基板1は、その下層から、電位が0Vでアースされる第1接地層10,比誘電率の大きな第1高誘電体層3,ICを駆動するためのDC電圧が印加される電源層11,第2高誘電体層4,第1接地層10と接続された第2接地層12,比誘電率の小さな第1低誘電体層5,信号線となる第1信号配線層13,第2低誘電体層6,第2信号配線層14,第3低誘電体層7が、順次積層され、更に、基板1の表面には、ダイアタッチ16及びパッド15等が形成されている。
請求項(抜粋):
導電性を有する信号配線層,接地層,電源層と、該各層の間に配置された絶縁層と、を備えた多層配線基板であって、前記接地層及び電源層に挟まれた1又は複数の厚膜の第1絶縁層として高誘電率材料を用いるとともに、前記信号配線層側の1又は複数の厚膜の第2絶縁層として低誘電率材料を用いることを特徴とする多層配線基板。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭49-114770
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特開平2-230153
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特開昭63-077196
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