特許
J-GLOBAL ID:200903042475914724

レチクル及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-327191
公開番号(公開出願番号):特開平5-158220
出願日: 1991年12月11日
公開日(公表日): 1993年06月25日
要約:
【要約】【目的】 縮小投影露光に使用するレチクルに関し、デバイスパターン領域の周縁部分と中央部分の間で、出来上がり寸法に生ずる狂いを少なくさせることができるレチクルとその製造方法の提供を目的とする。【構成】 レチクルは、露光の際に転写されるデバイスパターン領域2の外側に、デバイスパターン領域2と同じパターン密度を持ち該露光の際に転写されないダミーパターン領域5a,5bを有するように構成する。製造方法は、デバイスパターン領域2及びダミーパターン領域5a,5bをそれぞれのデータにより描画し、ダミーパターン領域5a,5bを描画するデータは、デバイスパターン領域2を描画するデータから切り出すように構成す。
請求項(抜粋):
縮小投影露光に使用するレチクルであって、前記露光の際に転写されるデバイスパターン領域の外側に、該デバイスパターン領域と同じパターン密度を持ち該露光の際に転写されないダミーパターン領域を有することを特徴とするレチクル。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027

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