特許

J-GLOBAL ID：200903042478708173

紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート

発明者： 山舗 有香 ,  浅野 昌也
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178851
公開番号（公開出願番号）：特開平7-034033
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月03日
要約：

【要約】【構成】シラン単位組成を特定の割合で含有するシリカ系被膜から成る紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート。【効果】紫外光〜可視光領域の透明性に優れ、かつ、耐クラック性にも優れるので、膜厚が厚く形成できるため、消去特性やデバイスの信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

一般式(1) R2 SiOで表される単位組成1モルに対して、一般式(2) RSiO1.5で表される単位組成を1〜20モル含有するシリカ系被膜から成ることを特徴とする紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート。(ただし、Rは水素、アルキル基、アリール基、アルケニル基、およびそれらの置換体を表わし、それぞれ、同一でも、異なっていても良い。)

IPC (3件)：

C09D183/04 PMS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31