面発光型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077976
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283796
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】出力の向上及び熱的安定動作を可能にする。【構成】少なくとも一方の多層膜反射鏡12の積層方向を横切ってヒートシンク効果を有する電極13を被着する。

請求項（抜粋）：

多層膜反射鏡を有する垂直共振器構造を有する面発光型半導体レーザにおいて、少なくとも一方の電極を、対応する側の多層膜反射鏡に対し多層膜反射鏡の多層膜積層側面を横切って接触するヒートシンク機能を有する電極としたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

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