特許
J-GLOBAL ID：200903042491339845
半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018269
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226086
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルキャパシタとトランジスタで構成されるメモリセルを有する半導体メモリ装置において、データ“1”が書き込まれたメモリセルキャパシタの容量絶縁膜にかかるストレスを低減し、長寿命化を実現する。【構成】 メモリセル1と、このメモリセル1から読み出したデータを反転しメモリセルへ再書き込みする反転再書き込み手段と、メモリセルから読み出したデータを再書き込み時に反転したかどうかを記憶しておく判定用データ記憶手段4と、メモリセルから読み出したデータを反転して出力するか、反転することなく出力するかを判定用データ記憶手段4からの出力によって判定する判定手段5とを有する。
請求項（抜粋）：
メモリセルと、前記メモリセルから読み出したデータを反転し前記メモリセルへ再書き込みする反転再書き込み手段と、前記メモリセルから読み出したデータを再書き込み時に反転したかどうかを記憶しておく判定用データ記憶手段と、前記メモリセルから読み出したデータを反転して出力するか、反転することなく出力するかを前記判定用データ記憶手段からの出力によって判定する判定手段とを有する半導体メモリ装置。
引用特許：
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