特許
J-GLOBAL ID：200903042493786660
位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033255
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250376
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【構成】基板上の全面にアルミナを形成し、その上にSiO2 、金属クロム層、酸化クロム層を積層し、その上にポジ型レジスト塗布後主領域部のみレジストを除去し、金属クロムをエッチングした。次に金属クロム層、酸化クロム層を成膜後その上にポジ型電子線レジストを塗布ベーク後、電子線描画現像処理後半透過遮光層及び遮光層をエッチングし半透過遮光パターンおよび遮光パターンを形成後位相シフト層のドライエッチング後レジストを除去して位相シフトマスクを得た。【効果】主領域部がハーフトーン型位相シフトマスクとなっており、その転写能力は非常に高い解像度及び焦点余裕度を有し、露光波長を下回る微細パターンの解像能力を持つ。
請求項（抜粋）：
透明基板に、遮光部と光透過部と半透過遮光部と位相シフト部とを備えた位相シフトマスクにおいて、主領域部が光透過部と半透過遮光部と位相シフト部で形成され、主領域部を除く周辺部分は少なくとも一部が遮光部で形成されることを特徴とした位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
