特許

J-GLOBAL ID：200903042497882613

洗浄装置及び洗浄方法

発明者： 中嶋 敏 ,  上川 裕二 ,  上野 欽也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259024
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154687
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板表面にウォーターマークが発生するのを極力抑えることができる洗浄装置及び洗浄方法を提供。【解決手段】 乾燥室42においてDIWで濯がれたウエハWを冷却系で乾燥するようにしたので、例えばIPAとDIWとウエハW表面のSiとの反応が鈍化してウエハ表面が酸化され難くなり、ウォーターマークの発生を極力抑えることができる。

請求項（抜粋）：

被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ濯ぎ手段と、前記濯ぎ手段により濯がれた被処理基板を冷却しながら乾燥する乾燥手段とを具備することを特徴とする洗浄装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 351 ,  B08B 3/04

FI (2件)：

H01L 21/304 351 C ,  B08B 3/04 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-155982
  
• 特開昭64-081230