特許
J-GLOBAL ID：200903042502990454
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245859
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090606
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】強誘電体キャパシタを用いた半導体装置において、Al配線形成後も高温処理を可能とする。【構成】強誘電体キャパシタの電極として、PtとTi、TiNなどの積層電極を用いることにより、配線電極であるAlとPtの反応を阻止する。【効果】Ti、TiNなどの金属により、AlとPtとの反応が防げるため、Al電極形成後でも、500C程度の熱処理が可能となり、信頼性の高い半導体装置が形成できる。
請求項（抜粋）：
強誘電体からなるキャパシタと、MOSトランジスタが同一半導体基板上に集積化された半導体装置において、前記強誘電体からなるキャパシタの上部電極が、前記強誘電体膜と接するPtまたはPdを主成分とする第1導電膜と、前記第1導電膜上に積層されたTi、TiN、TiW、MoSiの何れかを主成分とした第2導電膜からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 11/22
