特許

J-GLOBAL ID：200903042510429729

ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置

発明者： 蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  堂本 洋一 ,  木山 精一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118852
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：

【要約】【目的】 基板上に高硬度を有するダイヤモンド状被膜を形成すると共に、樹脂系基板に対しては特性変化等を引き起こさない低温で被膜形成を行う。【構成】 真空チャンバ8内に配置された陽極19に向けてアーク放電プラズマ流9を発生させ、該アーク放電プラズマ流9中に炭素原子を含む反応ガスを供給すると同時に、前記真空チャンバ8内に配置された基板16へ高周波電圧を印加して、該基板16に発生する自己バイアスを、前記アーク放電プラズマ9に対して-200V以下とし、前記基板16上にダイヤモンド状被膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に配置された陽極に向けてアーク放電プラズマ流を発生させ、該アーク放電プラズマ流中に炭素原子を含む反応ガスを供給すると同時に、前記真空チャンバ内に配置された基板に所定の高周波電圧を印加して、該基板上にダイヤモンド状被膜を形成するダイヤモンド状被膜形成方法であって、前記高周波電圧の印加により、前記基板に発生する自己バイアスを、前記アーク放電プラズマに対して-200V以下とすることを特徴とするダイヤモンド状被膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/26 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-237765   出願人：神港精機株式会社
• 特開昭61-295377