特許
J-GLOBAL ID：200903042511539536
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245707
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076762
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】MOSFETにおいて、ボディ領域に溝を設けてアバランシェ耐量を向上させている。またn型不純物拡散領域を溝により分割して、ソース領域を形成している。しかし、ソース領域より深い溝を形成することにより、チャネル領域も深くなり、セル密度が低下することによりオン抵抗が向上しない問題があった。【解決手段】ソース領域間に、ソース領域より浅い溝を設ける。溝内に形成されるボディ領域は、従来構造より浅くすることができ、チャネル領域も浅くすることができる。これにより、チャネル領域の横拡散を防止でき、セル密度を向上させることができ、オン抵抗を低減することができる。またトレンチ構造の場合には、チャネル領域が浅く形成できるので、スイッチング特性を向上させる利点も有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板と、
該半導体基板上に設けた一導電型半導体層と、
該半導体層表面に設けた第1絶縁膜と、
該第1絶縁膜上に設けたゲート電極と、
隣り合う前記ゲート電極間の前記半導体層表面に設けられた逆導電型のチャネル領域と、
前記ゲート電極の側面および上面を被覆する第2絶縁膜と、
前記ゲート電極の端部の前記チャネル領域表面に設けられ、一部が前記第2絶縁膜から露出する一導電型のソース領域と、
隣り合う前記ソース領域間に該ソース領域より浅く設けられた溝と、
前記溝の内壁に設けられた逆導電型のボディ領域と、
前記第2絶縁膜および前記溝を覆って設けられたソース電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (8件)：
H01L29/78 652C
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658A
