特許
J-GLOBAL ID：200903042513740298
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-120607
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277602
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】半導体集積回路装置の製造工程において、詳しくはウエハの裏面を研削して所望の厚さにするバックグラインディング工程およびそれと一体のストレスリリーフ工程において、仕上げ研削用回転砥石の寿命および研削特性を実用的な範囲に維持しつつ、ウエハのチッピング等に起因するウエハ裏面のスクラッチ等の発生を有効に回避する。【解決手段】このため、ストレスリリーフ工程を兼ねるバック・グラインディング工程の仕上げ研削において、基本的に仕上げ研削から回り状態でウエハ裏面を磨くスパークアウト期間のみ、目立て用砥石105を研削用砥石107に押し当てながら仕上げ研削をする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)デバイスが形成されたウエハの第1主面に表面保護テープを貼り付ける工程;
(b)前記表面保護テープが貼り付けられた前記ウエハの前記第1主面側をグラインディング装置の第1のウエハステージに真空吸着する工程;
(c)前記第1のウエハステージに真空吸着されている状態で、前記ウエハの第2の主面を第1の回転砥石により荒削り研削加工することにより、前記ウエハの厚さを第1の厚さまで研削する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記第1のウエハステージまたは第2のウエハステージに真空吸着されている状態で、前記ウエハの前記第2の主面を、前記第1の回転砥石よりも砥粒径が小さい第2の回転砥石により仕上げ研削加工することにより、前記ウエハの厚さを、前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さまで研削する工程、
ここで、工程(d)の仕上げ研削加工工程は以下の下位工程を含む:
(i)前記第2の回転砥石を前記ウエハの前記第2の主面に着地させる工程;
(ii)前記第2の回転砥石と前記ウエハの前記第2の主面が接触した状態で、第1の加圧下において、前記ウエハの前記第2の主面を研削する工程;
(iii)前記工程(ii)に続いて、前記第2の回転砥石と前記ウエハの前記第2の主面が接触した状態で、前記第1の加圧よりも軽い第2の加圧下において、前記ウエハの前記第2の主面を研削する工程;
(iv)前記工程(iii)に続いて、前記第2の回転砥石を前記ウエハの前記第2の主面から引き離す工程、
ここで、前記仕上げ研削加工工程の一部の期間であって、下位工程(iii)が行われる間、前記第2の回転砥石には、目立て用砥石が押し付けられている。
IPC (4件)：
H01L 21/304
, B24B 53/00
, B24B 1/00
, B24B 53/02
H01L21/304 631
, B24B53/00 A
, H01L21/304 622M
, H01L21/304 622R
, B24B1/00 A
, B24B53/02
3C047AA02
, 3C047AA06
, 3C047BB01
, 3C047BB08
, 3C047EE09
, 3C047FF04
, 3C049AA04
, 3C049AA19
, 3C049BA02
, 3C049BA09
, 3C049BB03
, 3C049BC03
, 3C049CA05
, 3C049CB02
