特許
J-GLOBAL ID：200903042516278846
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321328
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228138
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】 消費電力及び占有面積が小さく、切換え可能な電力が大きく、出力発生歪みが小さく、かつ周辺回路の簡素な高周波用半導体集積回路を提供する。【構成】 電界効果型トランジスタのドレイン,ソースにそれぞれ第1,第2信号端子6,7を接続し、ゲートに第1制御端子3を接続し、ゲート-第1制御端子間に第1抵抗部材2aを介設し、ドレイン・ソース-第1,第2信号端子間にそれぞれキャパシタ5a,5bを介設し、ドレイン・ソースの少なくとも一方に第2抵抗部材2bを介して第2制御端子4を接続する。そして、第1信号端子6に入力される高周波信号を電界効果型トランジスタを経て第2信号端子7から出力し、高周波信号の伝達量を第1制御端子3と第2制御端子4との間に入力する制御用電圧信号によって制御する。
請求項（抜粋）：
高周波信号を伝達するための基本回路を有する半導体集積回路であって、上記基本回路は、ゲート,ソース及びドレインを有する電界効果型トランジスタと、上記電界効果型トランジスタと電界効果型トランジスタの外部との間で高周波信号を入出力するための第1,第2信号端子と、上記電界効果型トランジスタのソース・ドレインと上記各信号端子との間の配線中にそれぞれ介設され使用する周波数帯域におけるインピーダンスが線路インピーダンスより低いキャパシタ成分を少なくとも含む直流成分遮断部材と、上記ゲートに接続される第1制御端子と、上記ゲート-第1制御端子間に介設され、インピーダンスが線路インピーダンスより高い抵抗特性を有し第1制御端子への高周波信号の入力を阻止するための第1阻止部材と、上記電界効果型トランジスタのソース・ドレインのうち少なくとも一方と直流成分遮断部材との間の配線に分岐配線を介して接続される第2制御端子と、上記分岐配線中に介設されインピーダンスが線路インピーダンスより高い抵抗特性を有し第2制御端子への高周波信号の入力を阻止するための第2阻止部材とを備え、上記基本回路の第1信号端子-第2信号端子間における高周波信号の伝達量が上記第1制御端子と第2制御端子との間の制御用電圧信号によって制御されるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 17/687 G
, H03H 11/24 B
