特許

J-GLOBAL ID：200903042525159337

熱電素子

発明者： 蘇 振洲 ,  野村 由利夫 ,  西島 義明 ,  秋元 克英 ,  佐々木 達佳 ,  阪井 敦 ,  塚本 啓司
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171435
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353753
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】性能指数Zを改善した熱電材料よりなり、熱電変換効率の優れた熱電素子を提供すること。【解決手段】熱電素子は、第1の熱電材料11pよりなるP型半導体素子ブロック10pと、第2の熱電材料11nよりなるN型半導体素子ブロック10nとを電気的に接続したものである。P型半導体素子ブロック10pは、熱伝導率κ1、電気伝導率σ1である第1の熱電材料11pと、熱伝導率κa及び電気伝導率σaが(κa<κ1)、かつ、(κa/κ1)<(σa/σ1)を満たす第1の添加材料12pとを一体的に焼結したものである。N型半導体素子ブロック10nは、熱伝導率κ2、電気伝導率σ2である第2の熱電材料11nと、熱伝導率κb及び電気伝導率σbが(κb<κ2)、かつ、(κb/κ2)<(σb/σ2)を満たす第2の添加材料12nとを一体的に焼結したものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の熱電材料よりなるP型半導体素子ブロックと、第2の熱電材料よりなるN型半導体素子ブロックとを電気的に接続した熱電素子において、 上記P型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ1、電気伝導率σ1である上記第1の熱電材料と、熱伝導率κa及び電気伝導率σaが(κa<κ1)、かつ、(κa/κ1)<(σa/σ1)を満たす第1の添加材料とを一体的に焼結してなり、 上記N型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ2、電気伝導率σ2である上記第2の熱電材料と、熱伝導率κb及び電気伝導率σbが(κb<κ2)、かつ、(κb/κ2)<(σb/σ2)を満たす第2の添加材料とを一体的に焼結してなることを特徴とする熱電素子。

IPC (4件)：

H01L35/14 ,  C22C12/00 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

FI (4件)：

H01L35/14 ,  C22C12/00 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 熱電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104927   出願人：いすゞ自動車株式会社

審査官引用 (1件)

• 熱電変換材料とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-248285   出願人：住友特殊金属株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Enhanced thermoelectric figure of merit of CoSb3 v