特許
J-GLOBAL ID：200903042527087490
半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074562
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269170
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体を提供する。【解決手段】 各種の熱可塑性樹脂等からなる重合体粒子、或いはこれらの樹脂に特定の官能基を導入することにより、そのゼータ電位が調整された重合体粒子と、アルミナ、シリカ等からなる無機粒子とを含有し、重合体粒子と無機粒子とのゼータ電位が逆符号であって、これらが凝集体となり、複合粒子を形成している、半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体を得る。また、この凝集体に、ホモジナイザにより剪断応力を加える等して、静電力により結合され、より均一に分散された複合粒子とすることもできる。
請求項（抜粋）：
重合体粒子、無機粒子及び水を含有し、該重合体粒子のゼータ電位と該無機粒子のゼータ電位とが逆符号であることを特徴とする、半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, C09K 3/14 550
, H01L 21/02
H01L 21/304 622 D
, C09K 3/14 550 C
, H01L 21/02
