特許

J-GLOBAL ID：200903042533873812

半導体レ-ザの製造方法

発明者： 阪口 眞弓 ,  古山 英人 ,  櫛部 光弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021546
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218570
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流を低く抑え、発振レーザの波長や位相にばらつきのない高性能な半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 第一導電型の半導体表面上にストライプ状のマスク層を形成し、このマスク層の間隔に少なくとも電流ブロック層の1層を側面が(111)B面を呈するように選択成長させる。つぎにこのマスク層を除去した半導体基板面と前記電流ブロック層の上に全面にわたって、活性層、第2導電型のクラッド層の順に少なくとも2層よりなる多層構造膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

表面が少なくとも第1導電型の半導体である基板の表面にマスク層を形成する工程と、このマスク層の両側に、マスク層の近くに位置する側面が(111)B面を呈するように少なくとも電流ブロック層の1層を選択成長させる工程と、前記マスク層を除去する工程と、このマスク層を除去して現れた前記基板の表面と前記電流ブロック層の上に、前記基板方向から順に、活性層と第2導電型のクラッド層との少なくとも2層を持つ多層構造膜を成長させる工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。