特許
J-GLOBAL ID：200903042534370067
半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-100014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-269776
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：
【要約】【目的】 高さおよび形状の整ったPb-Sn合金突起電極を半導体ウエハ表面に形成することができる電気メッキ液を提供する。【構成】 電気メッキ液が、フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルドールスルファニル誘導体:0.1〜30g/lの割合で含有し、かつ放射性同位元素の含有量が50ppb 以下の水溶液からなる。
請求項（抜粋）：
フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルドールスルファニル誘導体:0.1〜30g/l、の割合で含有し、かつUおよびTh、並びにこれらの崩壊核種を主体とする放射性同位元素の含有量が50ppb 以下の水溶液からなることを特徴とする半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液。
IPC (3件)：
C25D 3/56
, C25D 3/60
, C25D 7/12
C25D 3/56 Z
, C25D 3/60
, C25D 7/12
