特許

J-GLOBAL ID：200903042536185160

多結晶シリコン鋳塊の製造方法及び装置

発明者： 湯下 憲吉 ,  阿部 正道 ,  花澤 和浩 ,  馬場 裕幸 ,  中村 尚道 ,  加藤 嘉英
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045169
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240711
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】シリコン鋳塊から太陽電池用の基板を製造する場合、凝固過程で生ずる鋳塊内のクラックの発生を捕捉し、クラックによる切捨に起因する基板の歩留り低下を最小限にする。【解決手段】多結晶シリコン鋳塊の製造に当り、凝固した鋳塊中に発生するクラックによる弾性波を鋳型の外面で捉え、クラックの位置をアコースティックエミッション法により検出し、クラックが消滅する位置まで凝固シリコンを再溶解して再凝固させ、クラックのない鋳塊を製造する。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン鋳塊の製造に当り、凝固した鋳塊中に発生するクラックによる弾性波を鋳型の外面で捉え、該クラックの位置をアコースティックエミッション法により検出し、該検出に基づき、該クラックが消滅する位置まで凝固シリコンを再溶解して再凝固させ、クラックのない鋳塊を製造することを特徴とする多結晶シリコン鋳塊の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  G01N 29/14 ,  B22D 23/06

FI (3件)：

C01B 33/02 E ,  G01N 29/14 ,  B22D 23/06