特許
J-GLOBAL ID:200903042537385456
半導体パッケージ用部材及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-192531
公開番号(公開出願番号):特開2000-031335
出願日: 1998年07月08日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 微細なスルーホール加工が可能で、信頼性の高いスルーホール導通が得られるとともに、高密度配線を可能とする。【解決手段】 充填スルーホールの周辺部分となる層間絶縁層4を電着ポリイミドを用いてパターニングする第1の工程と、充填スルーホールとなる部分をメッキにより充填形状にする第2の工程と、層間絶縁層4及び充填スルーホールを含む平面に対して回路形成する第3の工程と、ランド形状の外側端子11をエッチングによって形成する第4の工程を経て半導体パッケージ用部材を製造する。微細で且つ信頼性の優れたスルーホール導通を有したものであり、且つ高密度配線が可能である。
請求項(抜粋):
半導体素子の端子と電気的に接続するための内部電極と、該内部電極と一体的に連結して外部回路と電気的接続を行うための外部端子と、該外部端子と内部電極を電気的に接続する充填スルーホールとを具備し、充填スルーホールの周辺の層間絶縁層が電着ポリイミドからなり、層間絶縁層及び充填スルーホールを含む平面に回路が形成され、充填スルーホールが外部端子に一体的に連結して外部端子がランド形状をなしていることを特徴とする半導体パッケージ用部材。
IPC (4件):
H01L 23/14
, H01L 21/312
, H01L 21/60
, H01L 23/12
FI (4件):
H01L 23/14 R
, H01L 21/312 B
, H01L 21/92 602 L
, H01L 23/12 N
Fターム (5件):
5F058AA10
, 5F058AC02
, 5F058AF10
, 5F058AH02
, 5F058AH05
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