特許
J-GLOBAL ID：200903042538872407
半導体ウエハの研削方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189472
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045568
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 裏面研削時およびウエハキャリア収容時における半導体ウエハの割れや欠け、半導体ウエハによるウエハキャリアの切削を防止できる半導体ウエハの研削方法を提供する。【構成】 集積回路が形成された半導体ウエハ1の外周面1aを、外周研削工程で凸状断面部1a1,1a2 が上下対称に形成されるように研削した後に、裏面研削工程で集積回路の形成面側の凸状断面部1a1 を残すようにして半導体ウエハ1の裏面1bを研削する。これにより、最終研削位置において外周面1aと研削面とで形成される角は鈍角となって偏荷重がかからないので、裏面研削時およびウエハキャリア収容時における半導体ウエハ1の割れや欠け、半導体ウエハ1によるウエハキャリアの切削を防止することができる。
請求項（抜粋）：
集積回路が形成された半導体ウエハの外周面を、外周研削工程において複数の凸状断面部が形成されるように研削した後に、裏面研削工程において前記集積回路の形成面側の凸状断面部を残すようにして前記半導体ウエハの裏面研削を行うことを特徴とする半導体ウエハの研削方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 331
, H01L 21/304 311
