特許

J-GLOBAL ID：200903042539514784

半導体装置

発明者： 木村 直人
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076252
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 基板とチップの熱膨張率差を吸収して、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1上に複数の半導体チップ2、3、4を積層させた半導体装置において、前記基板1上に前記複数の半導体チップの内のチップサイズの最も小さい半導体チップ2を組み付け、この半導体チップ2上に順にチップサイズの大きな半導体チップ2、3を積層し、この積層した半導体チップ2、3、4のボンディングパッド2a、3a、4a直上に当たる前記基板1の部位には、ボンディングワイヤー5挿通用の貫通孔6を設け、前記ボンディングワイヤー5は、前記貫通孔6を挿通せしめ、且つ、前記半導体チップ3s、4sの表面に対して、ほぼ垂直をなすように配線したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の半導体チップを積層させた半導体装置において、前記基板上に前記複数の半導体チップの内のチップサイズの最も小さい半導体チップを組み付け、この半導体チップ上に順にチップサイズの大きな半導体チップを積層し、この積層した半導体チップのボンディングパッド直上に当たる前記基板の部位には、ボンディングワイヤー挿通用の貫通孔を設け、前記ボンディングワイヤーは、前記貫通孔を挿通せしめ、且つ、前記半導体チップの表面に対して、ほぼ垂直をなすように配線したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 25/08 Z

Fターム (3件)：

5F044AA07 ,  5F044AA20 ,  5F044JJ03