特許
J-GLOBAL ID：200903042539535749
MOS集積回路上の自己整列珪化コバルト
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013403
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 MOS集積回路のソース/ドレイン領域及びポリシリコンゲート領域に珪化コバルトを生成する方法であって、デバイスの他のエリアにおける不所望なコバルト酸化や珪化物の成長を防止する段階を備えた方法を提供する。【構成】 MOS集積回路のソース/ドレイン領域及びポリシリコンゲート領域に珪化コバルトを生成する方法は、デバイスの他の領域における不所望なコバルト酸化又は珪化物の成長を防止する改良された技術を使用している。ポリシリコンゲートをパターン化し、ソース/ドレインをインプランテーションし、そして側壁酸化物スペーサの付着及びエッチングを行った後に、コバルトフィルムの上面に、薄い窒化チタン(又はチタンタングステン)フィルムが付着される。この窒化チタンフィルムは、高温アニール中に欠陥のない珪化コバルトを生成できるようにする。この窒化チタンフィルムがないと、コバルトが酸化したり及び/又はデバイスの不所望な領域に珪化コバルトを生成したりして、デバイスの故障を招き易くする。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの製造方法において、a)半導体本体の表面にゲート層を付着し、b)上記ゲート層の縁に側壁スペーサを形成し、c)コバルトより成る第1の層を、上記側壁スペーサ及び上記ゲート層を横切って延びるように上記表面に付着し、d)チタンより成る第2の層を上記第1層の上に付着し、そしてe)上記本体を加熱して、上記第1層と上記表面のシリコンとの反応によって珪化コバルトを生成し、上記第2層は上記側壁スペーサ上に珪化物が生成するのを防止するように働くことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 21/324
, H01L 21/90
