半導体記憶装置、その使用方法及びその読み出し方法並びに使用方法及び読み出し方法が記憶された記憶媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-153398
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317095
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】使用を重ねるにつれて必然的に発生するメモリセル等の劣化に起因するデータ化けによって多値記憶情報が失われても、効率良く且つ正確に誤り検出や誤り訂正を行うことを可能とする。【解決手段】 EEPROMの各メモリセル10に、4値(1V,2V,3V,4V)の各しきい値電圧に対応した第1の情報(”00”,”01”,”10”,”11”)を記憶し、読み出し時には、複号化回路13において、隣接する第1の情報の各2ビット構成のうち、1ビットのみが異なるように各ビットを割り振って、例えば第2の情報(”00”,”01”,”11”,”10”)に変換し、この第2の情報をメモリセル10の記憶情報として出力する。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルが行列状に配され、前記各メモリセルに少なくとも2桁の所定値の記憶情報が各基準電圧の順に対応して記憶される第1の規則に従って構成された半導体記憶装置であって、入力された前記記憶情報を第2の規則に従って割り振って符号を作成し、前記メモリセルに記憶させる書き込み手段と、選択された前記メモリセルから読み出した前記符号を第3の規則に従って割り振って出力情報として出力する読み出し手段とを備え、前記第3の規則は、前記第1の規則に従う前記符号を、前記基準電圧に対応させて順に並べた際に隣接する各々の差異が1桁のみとなるように割り当てて前記出力情報を作成する規則であるとともに、前記第2の規則は、前記第3の規則の逆の割り当て規則であり、前記出力情報に誤りが発生しなければ前記記憶情報と前記出力情報とが一致するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (7件)：

G11C 29/00 631 , G11C 16/06 , G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 29/00 631 D , G11C 17/00 639 C , G11C 17/00 641 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-092571 出願人：新日本製鐵株式会社
記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-326344 出願人：株式会社東芝
多値データのデコード回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082548 出願人：新日本製鐵株式会社

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