特許

J-GLOBAL ID：200903042545225379

化学的気相成長方法

発明者： 網 隆明 ,  広中 克行 ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059089
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【課題】 膜組成と段差被覆性が共に優れたビスマス化合物の製造方法を提供する。【解決手段】 反応容器中に原料ガスおよび酸化性ガスを導入し、ビスマス化合物を堆積させる化学的気相成長方法において、酸化性ガスとしてオゾン、N2 O、NO2 より選ばれる少なくとも1種を含有するガスを用いる。

請求項（抜粋）：

反応容器中に原料ガスおよび酸化性ガスを導入し、ビスマス化合物を堆積させる化学的気相成長方法において、上記酸化性ガスとしてオゾン、N2 O、NO2 より選ばれる少なくとも1種を含有するガスを用いることを特徴とする化学的気相成長方法。

IPC (9件)：

C30B 25/14 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (8件)：

C30B 25/14 ,  C01G 35/00 B ,  C01G 35/00 C ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651