特許
J-GLOBAL ID:200903042546355357
プラズマエッチングリアクタ用のカソードペデスタル
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
長谷川 芳樹
, 山田 行一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-509994
公開番号(公開出願番号):特表2005-528790
出願日: 2003年06月03日
公開日(公表日): 2005年09月22日
要約:
本発明の種々の実施形態は、一般に、プラズマエッチングリアクタに向けられる。一実施形態において、このリアクタは、チャンバーと、該チャンバー内に配置されたペデスタルと、チャンバー内でペデスタルの上に横たわるように配置されたガス分配プレートと、ペデスタルを取り巻くリングと、ペデスタル内に配置された上部導電性メッシュ層及び下部導電性メッシュ層とを備えている。リングは、持ち上がった部分を有する。上部導電性メッシュ層は、下部導電性メッシュ層の実質的に上に配置されると共に、ペデスタルに配置されるように構成された基板と実質的に同じサイズにされる。下部導電性メッシュ層は、形状が実質的に環状であり、上部導電性メッシュ層の周囲で、リングの持ち上がった部分の下に配置される。
請求項(抜粋):
チャンバーと、
上記チャンバー内に配置されたペデスタルと、
上記チャンバー内で上記ペデスタルの上に横たわるように配置されたガス分配プレートと、
上記ペデスタルを取り巻くリングであって、持ち上がった部分を画成するリングと、
上記ペデスタル内に配置された上部導電性メッシュ層及び下部導電性メッシュ層であって、上記上部導電性メッシュ層は、上記下部導電性メッシュ層の実質的に上に配置されると共に、上記ペデスタルに配置されるように構成された基板と実質的に同じサイズにされ、上記下部導電性メッシュ層は、形状が実質的に環状であって、上記上部導電性メッシュ層の周囲で、上記リングの上記持ち上がった部分の下に配置されるような上部導電性メッシュ層及び下部導電性メッシュ層と、
を備えたプラズマエッチングリアクタ。
IPC (3件):
H01L21/3065
, H01J37/32
, H05H1/46
FI (3件):
H01L21/302 101B
, H01J37/32
, H05H1/46 M
Fターム (6件):
5F004BA06
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004BB29
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