特許

J-GLOBAL ID：200903042546951910

酸化ケイ素膜の形成方法

発明者： 佐々木 基 ,  中村 隆司 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352735
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177122
出願日： 1992年12月10日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 基材表面に厚膜でかつクラックおよびピンホールを有しない、有機溶剤に不溶の酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。【構成】 基材、半導体デバイスの表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成し、次いで該樹脂膜の形成された該基材等を不活性ガス雰囲気下、250°C〜500°C(ただし、500°Cは含まない。)で、生成した酸化ケイ素中のケイ素原子結合水素原子の含有量が該水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子の含有量に対して80%以下となるまで加熱して、該水素シルセスキオキサン樹脂をセラミック状酸化ケイ素にすることを特徴とする、酸化ケイ素膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

基材表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成し、次いで該樹脂膜の形成された該基材を不活性ガス雰囲気下、250°C〜500°C(ただし、500°Cは含まない。)で、生成した酸化ケイ素中のケイ素原子結合水素原子の含有量が該水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子の含有量に対して80%以下となるまで加熱して、該水素シルセスキオキサン樹脂をセラミック状酸化ケイ素にすることを特徴とする、酸化ケイ素膜の形成方法。