特許
J-GLOBAL ID：200903042550005530
半導体分布帰還型レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210924
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055686
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 利得結合による分布帰還を利用した半導体分布帰還型レーザ装置の利得結合係数を大きくするとともに電流利用効率を高め、低しきい値電流動作を可能にする。【構成】 導電性が周期的に変化し、かつこの周期的変化と同一周期で吸収係数が変化する回折格子7を活性層4の近傍に設ける。
請求項（抜粋）：
誘導放出光を発生する活性層と、この活性層に沿って配置されこの活性層が発生した誘導放出光に光分布帰還を施す周期構造とを備えた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記周期構造は、前記活性層に平行なレーザ光軸方向に沿って導電性が周期的に変化し、かつこの周期的変化と同一周期で前記活性層の発生する誘導放出光に対する吸収係数が変化する構造を含むことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。
引用特許：
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